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IRF9Z34NPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF9Z34NPBF图片预览
型号: IRF9Z34NPBF
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内容描述: HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 241 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF9Z34NPbF
1200
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
1000
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= -10A
V
DS
= -44V
V
DS
= -28V
16
C,电容(pF )
800
C
国际空间站
C
OSS
12
600
8
400
C
RSS
200
4
0
1
10
100
A
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
A
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
-I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
10
-I
D
,漏电流( A)
100
10µs
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
1
100µs
10
1ms
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
= 0V
1.4
A
1.6
1
1
T
C
= 25°C
T
J
= 175°C
单脉冲
10
10ms
100
A
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区