IRFB42N20DPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFB42N20DPBF
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	8 页 / 166 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

开关电源MOSFET

PD- 95470

IRFB42N20DPbF

HEXFET

功率MOSFET

应用

高频DC- DC转换器

电机控制

Uninterrutible电源

LEAD -FREE

好处

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

充分界定雪崩电压

和电流

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装torqe ， 6-32或M3螺丝

DSS

200V

DS （ ON）

最大

0.055Ω

44A

TO-220AB

马克斯。

180

2.4

330

2.2

± 30

2.5

-55〜 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅•在（ 1.1N •m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

笔记

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

通过

是第8页

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.45

–––

单位

° C / W

www.irf.com

7/7/04

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