欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IRFB4410ZPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRFB4410ZPBF图片预览
型号: IRFB4410ZPBF
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 11 页 / 840 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
 浏览型号IRFB4410ZPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFB4410ZPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFB4410ZPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFB4410ZPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFB4410ZPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFB4410ZPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFB4410ZPBF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRFB4410ZPBF的Datasheet PDF文件第9页  
PD - 97278B
IRFB4410ZPbF
IRFS4410ZPbF
IRFSL4410ZPbF
HEXFET
®
功率MOSFET
应用
l
高效率同步整流开关电源
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
硬开关和高频电路
好处
l
改进的门,雪崩和动态的dV / dt
耐用性
l
充分界定电容和雪崩
SOA
l
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
l
LEAD -FREE
D
G
S
V
DSS
R
DS ( ON)
典型值。
马克斯。
I
D(硅有限公司)
I
D(包装有限公司)
D
D
100V
7.2m:
9.0m:
97c
75A
D
G
D
S
G
D
S
G
D
S
TO-220AB
IRFB4410ZPbF
G
D
2
PAK
IRFS4410ZPbF
D
TO-262
IRFSL4410ZPbF
S
来源
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流, V
GS
@ 10V (硅有限公司)
连续漏电流, VGS @ 10V (硅有限公司)
连续漏电流, V
GS
@ 10V (包装有限公司)
漏电流脉冲
d
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
f
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
( 1.6毫米的情况下)
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
单脉冲雪崩能量
e
雪崩电流
c
重复性雪崩能量
g
马克斯。
97c
69c
75
390
230
1.5
± 20
16
-55〜 + 175
300
10lbxin ( 1.1Nxm )
242
参见图。 14,15, 22A,22B,
单位
A
W
W / ℃,
V
V / ns的
°C
雪崩特性
E
AS (限热)
I
AR
E
AR
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
参数
结到外壳
k
外壳到散热器,平板油脂润滑表面, TO- 220
结到环境, TO- 220
k
结到环境( PCB安装) ,D白
jk
2
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
0.65
–––
62
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
06/01/07