临时
PD - 97002
开关电源MOSFET
HEXFET
®
功率MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
l
等离子显示板
l
LEAD -FREE
IRFB52N15DPbF
IRFS52N15DPbF
IRFSL52N15DPbF
主要参数
V
DS
V
DS （雪崩）
分钟。
R
DS （ ON）
最大@ 10V
T
J
最大
150
200
32
175
V
V
m
:
°C
好处
l
低栅极 - 漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计， （见
应用程序。注AN1001 ）
l
充分界定雪崩电压
和电流
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
TO-220AB
IRFB52N15DPbF
D
2
PAK
TO-262
IRFS52N15DPbF IRFSL52N15DPbF
马克斯。
51*
36*
240
3.8
230*
1.5*
± 30
5.5
-55〜 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅•在（ 1.1N •m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装torqe ， 6-32或M3螺丝？
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结至环境？
结至环境？
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
0.47*
–––
62
40
单位
° C / W
* R
θJC
（寿命终止）程序D
2
白和TO -262 = 0.65 ° C / W 。这是经过1000温度最大测量值
周期从-55到150℃ ，并通过模头的物理耗损占附加平台。
笔记
通过
在第11页
www.irf.com
1
05/17/05
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
