IRFB9N60A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFB9N60A
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内容描述：	功率MOSFET （ VDSS = 600V ， RDS（ON） = 0.75ohm ，ID = 9.2A ） [Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.75ohm, Id=9.2A)]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 137 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 91811

IRFB9N60A

HEXFET

功率MOSFET

动态的dv / dt额定值

额定重复性雪崩

快速开关

易于Paraleling的

简单的驱动要求

DSS

= 600V

DS （ ON）

= 0.75Ω

= 9.2A

描述

国际整流器第三代HEXFETs提供设计师

与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低导通

性和成本效益。

在TO- 220封装普遍首选的所有商业工业

应用在功率耗散水平到约50瓦。低

热电阻及TO -220的低包成本有助于其宽

接受整个行业。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

9.2

5.8

170

1.3

± 30

290

9.2

5.0

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅•在（ 1.1N •m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.75

–––

单位

° C / W

www.irf.com

10/7/98

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