PD- 92003A
HEXFET
®
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
IRFL014N
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.16Ω
表面贴装
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
快速开关
全额定雪崩
D
G
S
I
D
= 1.9A
描述
第五代HEXFET
®
从国际的MOSFET
整流器采用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计， HEXFET
®
功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
采用SOT - 223封装是专为表面贴装
使用气相，红外，或波峰焊技术。
其独特的包装设计便于自动拾波
放与其他SOT或SOIC封装，但有
的改进的热性能的附加好处
由于对散热放大选项卡。功耗
的1.0W可以在一个典型的表面安装的应用程序。
SOT-223
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V**
连续漏电流， V
GS
@ 10V*
连续漏电流， V
GS
@ 10V*
漏电流脉冲
功耗（ PCB安装） **
功耗（ PCB安装） *
线性降额因子（ PCB安装） *
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？ *
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
2.7
1.9
1.5
15
2.1
1.0
8.3
± 20
48
1.7
0.1
5.0
-55到+ 150
单位
A
W
W
毫瓦/°C的
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJA
R
θJA
结到大使。 （印刷电路板安装，稳态） *
结到大使。 （印刷电路板安装，稳态） **
典型值。
90
50
马克斯。
120
60
单位
° C / W
*当使用最小的占用空间，建议安装在FR- 4电路板。
**当安装在1平方英寸的铜电路板，用于与其他SMD器件的比较。
www.irf.com
1
1/19/00
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
