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IRFL9014 参数 Datasheet PDF下载

IRFL9014图片预览
型号: IRFL9014
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(ON) = 0.50ohm ,ID = -1.8A ) [Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.8A)]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 224 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 90863A
IRFL9014
HEXFET
®
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
表面贴装
可在磁带卷&
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
P沟道
快速开关
易于并联的
D
V
DSS
= -60V
R
DS ( ON)
= 0.50Ω
G
I
D
= -1.8A
S
描述
国际整流器第三代HEXFETs
为设计人员提供快速的最佳组合
开关,坚固耐用的设备设计,低导通电阻
和成本效益。
采用SOT - 223封装是专为采用表面贴装
气相,红外,或波峰焊技术。其
独特的包装设计,可以很容易地自动拾取和 - ​​
地方与其他SOT或SOIC封装,但有
附加优点的改进的热性能,因为
放大片的散热。功率耗散
grreater比1.25W可以在一个典型的表面安装
应用程序。
S 0牛逼-2 2 3
绝对最大额定值
参数
I
D
@ TC = 25°C
I
D
@ TC = 100℃
I
DM
P
D
@Tc = 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
连续漏电流, V
GS
@ -10 V
连续漏电流, V
GS
@ -10 V
漏电流脉冲

功耗
功耗( PCB安装) **
线性降额因子
线性降额因子( PCB安装) **
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
结温和存储温度范围
Soldewring温度,保持10秒
马克斯。
-1.8
-1.1
-14
3.1
2.0
0.025
0.017
-/+20
140
-1.8
0.31
-4.5
-55到+ 150
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W / ℃,
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J,
T
英镑
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到PCB
结到环境。 ( PCB安装) **
典型值。
–––
–––
马克斯。
40
60
单位
° C / W
**当安装在1 ''正方形板( FR-4或G- 10材料) 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994 。
www.irf.com
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