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IRFP054N 参数 Datasheet PDF下载

IRFP054N图片预览
型号: IRFP054N
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 0.012ohm ,ID = 81A ) [Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=81A)]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 111 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 9.1382A
IRFP054N
HEXFET
®
功率MOSFET
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 55V
R
DS ( ON)
= 0.012Ω
G
I
D
= 81A†
S
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处,
结合快速开关速度和加固
设备的设计,HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知,为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置,用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 247封装的首选商业工业
应用更高的功率水平排除使用
的TO-220的设备。该TO- 247类似,但优于
早期的隔离安装的TO- 218封装,因为
洞。
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
…
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ…
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3 srew
马克斯。
81†
57
290
170
1.1
± 20
360
43
17
5.0
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.24
–––
马克斯。
0.90
–––
40
单位
° C / W
8/25/97