PD - 94214
IRFP264N
HEXFET
®
功率MOSFET
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先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
易于并联的
简单的驱动要求
D
V
DSS
= 250V
R
DS （ ON）
= 60mΩ
G
S
I
D
= 44A
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工
技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，
HEXFET功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个
非常有效和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 247封装的首选商业工业应用
更高的功率水平排除使用的TO-220的设备。该TO- 247相似
但由于其孤立的安装孔优于早期的TO- 218封装。
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
44
31
170
380
2.6
± 20
520
25
38
8.7
-55〜 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅•在（ 1.1N •m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.24
–––
马克斯。
0.39
–––
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
5/4/01
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
