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型号: IRFP3710
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(ON) = 0.025W ,ID = 57A ) [Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025W, Id=57A)]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 187 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD-91490C
IRFP3710
HEXFET
®
功率MOSFET
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 100V
R
DS ( ON)
= 0.025W
G
S
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处,结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计,HEXFET功率
MOSFET是众所周知的,为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置,用于使用
在各种各样的应用中。
在TO- 247封装的首选commercial-
工业应用更高的功率电平
排除使用的TO-220的设备。该TO- 247
相似但优于早前TO- 218封装
因为它孤立的安装孔。
I
D
= 57A
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
…
连续漏电流, V
GS
@ 10V
…
漏电流脉冲
…
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流•†
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ…
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3 srew
马克斯。
57
40
180
200
1.3
± 20
530
28
20
5.0
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
QJC
R
QCS
R
qJA
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.24
–––
马克斯。
0.75
–––
40
单位
° C / W
www.irf.com
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