IRFR9214 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFR9214
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内容描述：	功率MOSFET （ VDSS = -250V ， RDS（ON） = 3.0ohm ，ID = -2.7A ） [Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-2.7A)]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	10 页 / 108 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 9.1658A

初步

IRFR/U9214

HEXFET

功率MOSFET

P沟道

表面贴装（ IRFR9214 ）

直铅（ IRFU9214 ）

先进的工艺技术

快速开关

全额定雪崩

DSS

= -250V

DS （ ON）

= 3.0Ω

= -2.7A

描述

国际整流器第三代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现低

导通电阻每硅片面积。这样做的好处，结合

随着开关速度快和坚固耐用的设备

设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，

为设计者提供了一个非常有效和

可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

在D- Pak是专为使用蒸汽表面安装

相，红外，或波焊工艺。直

铅版（ IRFU系列）是通孔安装

应用程序。功耗水平达到1.5瓦特是

有可能在典型的表面贴装应用。

ð -P A K

T O服务-2 52 A A

I-P第k

为-2 5 1 A A

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ -10V

连续漏电流， V

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

-2.7

-1.7

-11

0.40

± 20

100

-2.7

5.0

-5.0

-55到+ 150

260 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） **

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

2.5

110

单位

° C / W

9/23/97

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