IRFU9120NPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFU9120NPBF
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET （ VDSS = -100V ， RDS （ ON） = 0.48ヘ， ID = -6.6A ） [HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 0.48ヘ , ID = -6.6A )]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	11 页 / 259 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD-95020A

IRFR9120NPbF

IRFU9120NPbF

超低导通电阻

P沟道

表面贴装（ IRFR9120N ）

直铅（ IRFU9120N ）

先进的工艺技术

快速开关

全额定雪崩

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= -100V

DS （ ON）

= 0.48Ω

= -6.6A

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

在D- Pak是专为使用蒸汽表面安装

相，红外，或波焊工艺。直

铅版（ IRFU系列）是通孔安装

应用程序。功耗水平达到1.5瓦特是

有可能在典型的表面贴装应用。

D- PAK

TO-252AA

I- PAK

TO-251AA

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ -10V

连续漏电流， V

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

-6.6

-4.2

-26

0.32

± 20

100

-6.6

4.0

-5.0

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） **

结到环境

典型值。

马克斯。

3.1

110

单位

° C / W

www.irf.com

12/14/04

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