IRFZ24N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFZ24N
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内容描述：	功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 0.07ohm ，ID = 17A） [Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	8 页 / 125 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 91354A

IRFZ24N

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

DSS

= 55V

DS （ ON）

= 0.07Ω

= 17A

描述

第五代

功率MOSFET

从

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现尽可能低的导通电阻

每硅片面积。这样做的好处，结合快速

开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET

功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用在各种各样的一个非常有效的装置，用于使用

的应用程序。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。在低热阻

和TO- 220封装低的成本导致其广泛

接受整个行业。

HEXFET

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝。

马克斯。

0.30

±20

4.5

5.0

-55〜 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅•在（ 1.1N •m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

分钟。

––––

典型值。

––––

0.50

––––

马克斯。

3.3

––––

单位

° C / W

www.irf.com

9/13/99

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