PD - 94807
IRFZ34NPbF
HEXFET
®
功率MOSFET
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
易于并联的
LEAD -FREE
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进
加工技术，以实现尽可能低的导通电阻每
硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计者提供了一个非常有效的装置，用于使用在各种各样的
的应用程序。
在TO- 220封装普遍首选的所有商业工业
应用在功率耗散水平到约50瓦。低
热电阻及TO -220的低包成本有助于其宽
接受整个行业。
TO-220AB
D
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.040Ω
G
S
I
D
= 29A
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
29
20
100
68
0.45
± 20
65
16
6.8
5.0
-55〜 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅•在（ 1.1N •m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
分钟。
––––
––––
––––
典型值。
––––
0.50
––––
马克斯。
2.2
––––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
11/3/03
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
