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IRFZ44NS 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IRFZ44NS
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 0.0175ohm ,ID = 49A ) [Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 10 页 / 154 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 94153
先进的工艺技术
l
表面贴装( IRFZ44NS )
l
通孔低调( IRFZ44NL )
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
描述
l
IRFZ44NS
IRFZ44NL
HEXFET
®
功率MOSFET
D
V
DSS
= 55V
R
DS ( ON)
= 0.0175Ω
先进的HEXFET
®
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处,
结合快速开关速度和加固
设备的设计, HEXFET功率MOSFET是众所周知
为,为设计者提供了一个非常有效和
可靠的装置,用于在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高
功率能力和尽可能低的导通电阻
任何现有的表面贴装封装。对D
2
朴适用
为,由于其低的内高电流的应用
连接性和功耗最高2.0W的
典型的表面贴装应用。
通孔版( IRFZ44NL )可用于低
配置文件的应用程序。
G
I
D
= 49A
S
D 2 P AK
T O服务-26 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
49
35
160
3.8
94
0.63
± 20
25
9.4
5.0
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W
W / ℃,
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.5
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
03/13/01