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IRG4PF50W 参数 Datasheet PDF下载

IRG4PF50W图片预览
型号: IRG4PF50W
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内容描述: 绝缘栅双极晶体管 [INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 8 页 / 140 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 91710
IRG4PF50W
绝缘栅双极晶体管
特点
•优化用于焊接和开关模式
电源的应用
•行业基准开关损耗提高
所有的电源拓扑结构的效率
•减少50%的Eoff参数
•低IGBT的导通损耗
•最新的技术, IGBT设计提供了更严格
参数分布再加上出色的
可靠性
C
V
CES
= 900V
G
E
V
CE ( ON) (典型值) 。
= 2.25V
@V
GE
= 15V ,我
C
= 28A
N沟道
好处
•更低的开关损耗,让更具成本效益
操作,从而有效替代larger-的
死的MOSFET高达100kHz
•在单端转换器的特殊利益,
电源150W及以上
•减少关键的Eoff参数,由于最小
少数载流子复合加上低通态
态损耗允许设备最大的灵活性
应用
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Œ
钳位感性负载电流

门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
Ž
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
900
51
28
204
204
± 20
186
200
78
-55到+ 150
300 ( 0.063英寸( 1.6毫米从案例)
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境,典型的插座安装
重量
典型值。
–––
0.24
–––
6 (0.21)
马克斯。
0.64
–––
40
–––
单位
° C / W
克(盎司)
www.irf.com
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4/15/98