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    IRGP4063DPBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRGP4063DPBF图片预览
    型号： IRGP4063DPBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 [INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE]
    分类和应用： 晶体二极管双极型晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 779 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRGP4063DPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRGP4063DPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRGP4063DPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRGP4063DPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRGP4063DPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRGP4063DPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRGP4063DPBF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRGP4063DPBF的Datasheet PDF文件第9页  
    PD - 97210
    具有绝缘栅双极型晶体管
    超快软恢复二极管
    特点
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    低V
    CE （上）
    沟道IGBT技术
    低开关损耗
    最高结温为175℃
    5 μS短路SOA
    广场RBSOA
    测试4X额定电流（I部分的100 ％
    LM
    )
    正V
    CE （上）
    温度系数
    超快速软恢复合作-PAK二极管
    紧张的参数分布
    无铅封装
    C
    IRGP4063DPbF
    V
    CES
    = 600V
    I
    C
    = 48A ，T
    C
    = 100°C
    G
    E
    t
    SC
    ≥
    为5μs ，T
    J（下最大）
    = 175°C
    N沟道
    V
    CE （ON）的
    （典型值） 。 = 1.65V
    好处
    •高效率在宽的应用范围
    •适用于范围广泛，由于开关频率
    低V
    CE （上）
    和低开关损耗
    •为提高可靠性坚固的瞬态性能
    •卓越的均流并联运行
    •低EMI
    G
    门
    C
    E
    C
    G
    TO-247AC
    C
    集热器
    E
    辐射源
    绝对最大额定值
    参数
    V
    CES
    I
    C
    @ T
    C
    = 25°C
    I
    C
    @ T
    C
    = 100°C
    I
    CM
    I
    LM
    I
    F
    @ T
    C
    = 25°C
    I
    F
    @ T
    C
    = 100°C
    I
    FM
    V
    GE
    P
    D
    @ T
    C
    = 25°C
    P
    D
    @ T
    C
    = 100°C
    T
    J
    T
    英镑
    集电极 - 发射极电压
    连续集电极电流
    连续集电极电流
    脉冲集电极电流
    钳位感性负载电流
    二极管连续正向电流
    二极管连续正向电流
    二极管的最大正向电流
    短暂的门极 - 发射极电压
    最大功率耗散
    最大功率耗散
    工作结
    存储温度范围
    焊接温度，持续10秒。
    安装扭矩， 6-32或M3螺丝
    300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
    在10磅• （ 1.1牛顿•米）
    马克斯。
    600
    96
    48
    192
    192
    96
    48
    192
    ±20
    ±30
    330
    170
    -55到+175
    单位
    V
    c
    e
    A
    连续的门极 - 发射极电压
    V
    W
    °C
    热阻
    参数
    R
    θJC
    （IGBT）
    R
    θJC
    （二极管）
    R
    θCS
    R
    θJA
    热阻结到案例 - （每个IGBT ）
    热阻结到案例 - （每个二极管）
    热电阻，凯斯到水槽（平，润滑表面）
    热阻，结到环境（典型的插座安装）
    分钟。
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值。
    –––
    –––
    0.24
    80
    马克斯。
    0.45
    0.92
    –––
    –––
    单位
    ° C / W
    1
    www.irf.com
    05/11/06

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