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IRLL3303 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IRLL3303
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 163 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD- 91379C
IRLL3303
HEXFET
®
功率MOSFET
表面贴装
l
动态的dv / dt额定值
l
逻辑电平栅极驱动
l
快速开关
l
易于并联的
l
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
描述
l
D
V
DSS
= 30V
G
S
R
DS ( ON)
= 0.031Ω
I
D
= 4.6A
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处,结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计, HEXFET功率MOSFET
是众所周知的,为设计者提供了一个非常
高效,可靠的装置,用于在各种各样的应用
应用程序。
采用SOT - 223封装是专为表面贴装
采用气相,红外,或波峰焊技术。
其独特的包装设计便于自动拾波
放与其他SOT或SOIC封装,但有
的改进的热性能的附加好处
由于对散热放大选项卡。功耗
的1.0W可以在一个典型的表面安装的应用程序。
S 0牛逼-22 3
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V**
连续漏电流, V
GS
@ 10V*
连续漏电流, V
GS
@ 10V*
漏电流脉冲

功耗( PCB安装) **
功耗( PCB安装) *
线性降额因子( PCB安装) *
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
结温和存储温度范围
马克斯。
6.5
4.6
3.7
37
2.1
1.0
8.3
± 16
140
4.6
0.10
1.3
-55到+ 150
单位
A
W
W
毫瓦/°C的
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJA
R
θJA
结到大使。 (印刷电路板安装,稳态) *
结到大使。 (印刷电路板安装,稳态) **
典型值。
93
48
马克斯。
120
60
单位
° C / W
*当使用最小的占用空间,建议安装在FR- 4电路板。
**当安装在1平方英寸的铜电路板,用于与其他SMD器件的比较。
www.irf.com
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