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IRLML2803 参数 Datasheet PDF下载

IRLML2803图片预览
型号: IRLML2803
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) =仅为0.25mΩ ) [Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.25ohm)]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 190 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 91258D
HEXFET
®
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
IRLML2803
V
DSS
= 30V
第五代技术
超低导通电阻
N沟道MOSFET
SOT-23封装足迹
薄型( <1.1毫米)
可用磁带和卷轴
快速开关
D
G
S
R
DS ( ON)
= 0.25Ω
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处,
结合快速开关速度和加固
设备的设计,HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知,为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置,用于在各种各样的应用中使用。
定制的引线框架已被纳入
标准SOT-23封装,以产生一个HEXFET功率
MOSFET具有业界最小尺寸。这
包,被称为MICRO3 ,是理想的应用
其中,印刷电路板空间非常珍贵。低
在MICRO3的个人资料( <1.1毫米),使其能够方便地安装到
如便携式极薄的应用环境
电子和PCMCIA卡。
Micro3
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
‚
结温和存储温度范围
马克斯。
1.2
0.93
7.3
540
4.3
± 20
5.0
-55到+ 150
单位
A
mW
毫瓦/°C的
V
V / ns的
°C
热阻
R
θJA
最大结点到环境
„
参数
典型值。
–––
马克斯。
230
单位
° C / W
4/28/03