IRLR120N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRLR120N
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内容描述：	功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.185ohm ，ID = 10A） [Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 175 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 91541B

IRLR/U120N

HEXFET

功率MOSFET

表面贴装（ IRLR120N ）

直铅（ IRLU120N ）

先进的工艺技术

快速开关

全额定雪崩

DSS

= 100V

DS （ ON）

= 0.185Ω

= 10A

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，实现了

尽可能低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

以在很宽的一个非常有效的装置，用于使用

各种应用程序。

在D- Pak是专为使用表面安装

气相，红外，或波焊工艺。

直引线型（ IRFU系列）是吞吐量

孔安装的应用程序。功耗水平

达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装

应用程序。

ð -P A K

T O服务-2 52 A A

I-P第k

T O服务-25 1 A A

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流•†

重复性雪崩能量????

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

7.0

0.32

± 16

6.0

4.8

5.0

-55〜 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） **

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

3.1

110

单位

° C / W

www.irf.com

5/11/98

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