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IRLR8103V 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IRLR8103V
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内容描述: N沟道特定应用的MOSFET [N-Channel Application-Specific MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 8 页 / 151 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD-94021C
IRLR8103V
N沟道特定应用的MOSFET
理想的CPU内核的DC -DC转换器
低传导损耗
低开关损耗
最大限度地减少并行MOSFET的大电流
应用
G
D
100% R
G
经过测试
描述
这种新设备采用了先进的HEXFET功率
MOSFET技术,实现了前所未有的
导通电阻和栅极电荷平衡的。减少
传导和开关损耗,使其非常适用于高
效率的DC - DC转换器供电的最新
代微处理器。
该IRLR8103V已经优化所有参数
这是关键中的同步降压转换器,包括
R
DS ( ON)
,栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开通免疫力。
该IRLR8103V提供了一个非常低的组合
Q
sw
&放大器; ř
DS ( ON)
为控制减亏
同步FET应用。
该包是专门为气相,红外,
对流,或波峰焊技术。动力
大于2W耗散可以在一个典型的
印刷电路板安装的应用程序。
D- PAK
S
器件的特性?
R
DS ( ON)
Q
G
Q
SW
Q
OSS
IRLR8103V
7.9 mΩ
27 NC
12 NC
29nC
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极或源极电流
(V
GS
> 10V )
漏电流脉冲
TC = 25°C
TC = 90℃
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
I
S
I
SM
IRLR8103V
30
±20
91
63
363
115
60
-55到150
91
363
单位
V
™
TC = 25°C
功耗
eÃÃÃÃÃÃÃÃÃÃÃÃÃ
TC = 90℃
结&存储温度范围
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
A
W
°C
A
™
热阻
参数
最大结点到环境
最大结到外壳
h
eh
符号
R
θJA
R
θJC
典型值。
–––
–––
马克斯。
50
1.09
单位
° C / W
www.irf.com
1
10/22/04