PD- 95081A
IRLR024NPbF
IRLU024NPbF
HEXFET
®
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
逻辑电平栅极驱动
表面贴装（ IRLR024N ）
直铅（ IRLU024N ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
LEAD -FREE
D
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.065Ω
G
S
I
D
= 17A
描述
第五代HEXFET
®
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速开关
速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了在一个非常有效的装置使用
各种各样的应用程序。
对D- PAK被设计用于使用气相，红外表面安装，或
波峰焊技术。直引线型（ IRFU系列）是
通孔安装的应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦特
是可能的典型的表面安装的应用程序。
D- PAK
I- PAK
IRLR024NPbF IRLU024NPbF
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
17
12
72
45
0.3
± 16
68
11
4.5
5.0
-55〜 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
3.3
50
110
单位
° C / W
www.irf.com
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
1
12/6/04
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
