初步
数据表号PD60249 revB
IRS2110(-1,-2,S)PbF
IRS2113(-1,-2,S)PbF
特点
高端和低端驱动器
•
设计为引导操作浮动通道
产品概述
•
全面运作，以500 V或600 V
VOFFSET （ IRS2110 ）
500 V最大。
•
耐负瞬态电压的dV / dt免疫
(IRS2113)
600 V最大。
•
栅极驱动电压范围为10 V至20 V
I
O+/-
2 A/2 A
•
欠压锁定两个通道
•
3.3 V逻辑兼容
VOUT
10 V - 20 V
•
独立的逻辑电源电压范围为3.3 V至20 V
吨/关（典型值）。
130纳秒& 120纳秒
•
逻辑和电源接地± 5V偏置
•
CMOS施密特触发与下拉输入
延迟匹配（ IRS2110 ） 10 ns（最大值） 。
•
逐周期边沿触发关断逻辑
（ IRS2113 ） 20 ns（最大值） 。
•
匹配的传播延迟为两个通道
套餐
•
同相输入输出
描述
该IRS2110 / IRS2113是高电压，高转速
功率MOSFET和IGBT驱动器具有独立
高，低侧参考输出通道。亲
专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术
使坚固耐用的单片式结构。逻辑IN-
看跌期权与标准CMOS或LSTTL兼容
产量下降至3.3 V逻辑。输出驱动器
高脉冲电流缓冲级，可将迷你
妈妈驱动器跨导。传输延迟
相匹配，以简化在高频应用中使用。
浮置沟道可用于驱动一个N信
在高端的配置NEL功率MOSFET或IGBT
化其工作频率高达500 V或600 V.
14引脚PDIP
IRS2110和IRS2113
16引脚PDIP
（W / O导致4 & 5 ）
IRS2110-2和IRS2113-2
14引脚PDIP
（W / O引线4 ）
IRS2110-1和IRS2113-1
16引脚SOIC
IRS2110S和
IRS2113S
典型连接
HO
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
COM
LO
V
B
V
S
高达500伏或600伏
TO
负载
（请参阅铅作业的正确引脚配置） 。此图显示的电气连接
系统蒸发散而已。请参考我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
www.irf.com
1
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
