SI3443DV 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SI3443DV
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 130 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD- 93795B

Si3443DV

HEXFET

功率MOSFET

超低导通电阻

P沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

-2.5V额定

DSS

= -20V

DS （ ON）

= 0.065Ω

顶视图

描述

从国际整流器这些P沟道MOSFET

利用先进的加工技术，实现了

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处

为设计者提供了一个非常有效的装置

在电池和负载管理应用程序使用。

该TSOP - 6封装，其引脚框定制

产生HEXFET

功率MOSFET为R

DS （ ON）

60%

比类似大小的SOT- 23少。这个包是理想的

应用印刷电路板空间受限的

溢价。它独特的散热设计和R

DS （ ON）

减少

使近300 ％的电流处理增加

相比于SOT-23 。

TSOP-6

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ -4.5V

连续漏电流， V

@ -4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量？

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-20

-4.4

-3.5

-20

2.0

1.3

0.016

± 12

-55到+ 150

单位

W / ℃，

°C

热阻

参数

θJA

最大结点到环境

马克斯。

62.5

单位

° C / W

www.irf.com

01/13/03

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