RT2P12M
エ ッ コ ン 素子内蔵
ミ タ モ ２
複合抵抗入りトランジスタ
概 要
RT2P12M は、抵抗入りトランジスタ RT1P436 を２素子内蔵し
た複合抵抗入りトランジスタです。このトランジスタのご�½�用によ
りセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減が可�½となります。
0.65
①
②
③
④
外�½�図
2.1
1.25
⑤
0.2
単�½�
：�½��½�
特 長
●スーパーミニパッケージ ５ ン に RT1P436 を２素子内蔵
（ ピ ）
●セットの小型化、高密度実装が可�½
2.0
0.9
用 途
インバータ回路、スイッチング回路、インターフェイス回路、ドライバ回路
0.65
0.13
0∼0.1
④
RTr2
R2
②
③
R1
電極接続
①
：ベース１
② エ ッ （共通
： ミ タ
）
③
：ベース２
④ コ ク ２
： レ タ
⑤ コ ク １
： レ タ
JEITA：SC-88A
JEDEC
：−
RTr1
R1
①
R2
最大定格
（Ta=25℃ （
） RTr1、RTr2 共通
）
記 号
V
CBO
V
EBO
V
CEO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
stg
項
コレクタ
・ベース間電圧
エ ッ ・ベース間電圧
ミ タ
コレクタ エ ッ
・ ミ タ間電圧
��レクタ電流
せん頭コレクタ電流
コレクタ損失（トータル）
接合部温度
保存温度
目
定
格
-50
-6
-50
-100
-200
150
＋150
-55∼＋150
値
単�½�
V
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
0.65
⑤
マーク図
⑤
④
P
H
①
②
③
ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
