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2SA1235A 参数 Datasheet PDF下载

2SA1235A图片预览
型号: 2SA1235A
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内容描述: 低频AMPLIFY申请PNP硅外延型(超级迷你型) [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(Super mini type)]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 131 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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& LT ;
小信号晶体管
& GT ;
2SA1235A
2SA1602A
2SA1993
低频AMPLIFY应用
PNP硅外延型(超级迷你型)
MAXIMUM RATINGS(T�½�=25℃)
符号
CBO
EBO
CEO
T�½�
T�½��½��½�
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极
电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
评级
2SA1235A
-60
-6
-50
200
200
200
+150
-55�½�+150
450
2SA1602A
-60
2SA1993
-50
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性(Ta = 25℃)
帕拉梅
TER
(BR)CEO
CBO
EBO
符号
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
正向直流电流增益
C至ê饱和Vlotage
增益带宽积
集电极输出电容
C至ê击穿电压
2SA1993
测试条件
I
C
=-100μA,R
BE
=∞
2SA1235A,2SA1602A
-50
E
E
范围
典型值
最大
-0.1
-0.1
-0.1
500
单位
V
μA
μA
V
兆赫
pF
dB
V
CB
=-50V,I
V
CB
=-60V,I
=0
=0
150
�½�
FE
*
�½�
FE
CE(�½��½��½�)
�½�
COB
NF
V
EB
=-6V,I
V
CE
=-6V,I
2SA1993
C
=0
C
=-1mA
2SA1235A,2SA1602A
V
CE
=-6V,I
C
=-0.1mA
50
90
-0.3
200
4.0
20
噪声系数
E
F
I
C
=-100mA,I
B
=-10mA
V
CE
=-6V,I
E
=10mA
V
CB
=-6V,I
E
=0,f=1MHz
V
CE
=-6V,I
E
=0.3mA,f=100Hz,R
G
=10�½�Ω
*:
它示出了在下面的表的hFE分类。
�½�FE
2SA1235A
2SA1602A
2SA1993
150�½�300
250�½�500
谏早电子股份有限公司