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    2SA2026 参数 Datasheet PDF下载

    2SA2026图片预览
    型号： 2SA2026
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低频AMPLIFY申请PNP硅外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 49 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号2SA2026的Datasheet PDF文件第2页  
    \u003c小信号晶体管\u003e
    2SA2026
    低频AMPLIFY应用
    PNP硅外延型
    描述
    2SA2026是密封的超小型封装树脂
    PNP硅外延晶体管，
    它是专为低频电压的应用。
    .
    0.5
    2.5
    1.5
    0.5
    外形绘图
    Unit：�½��½�
    0.95
    ①
    ②
    ③
    ●小集电极到发射极饱和电压。
    VCE （SAT） = - 0.5V最大
    ●超小型封装，易于安装
    1.1
    0.16
    应用
    对于混合集成电路，小型机器的低频电压
    扩大应用。
    0.8
    0.95
    特征
    2.9
    1.9
    JEITA：SC-59
    端子连接器
    内部BASE
    评级
    -300
    -300
    -7
    -100
    150
    ＋125
    -55∼＋125
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    最大额定值
    （Ta=25℃）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    O
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    ② ：辐射源
    --Collector
    P
    c
    T
    j
    T
    英镑
    电气特性
    （Ta=25℃）
    参数
    C到B击穿电压
    E至Bbreak电压下降
    C至ê击穿电压
    收藏家切断电流
    发射器切断电流
    正向直流电流增益
    C至ê饱和Vlotage
    增益带宽积
    集电极输出电容
    符号
    V（ BR ）
    CBO
    V（ BR ）
    EBO
    V（ BR ）
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    EBO
    的hFE
    VCE （ SAT ）
    fT
    COB
    测试条件
    I
    C
    = -50μA ，我
    E
    =0
    I
    E
    = -50μA ，我
    C
    =0
    I
    C
    = -1mA ，R
    V
    V
    V
    CB
    EB
    BE
    0∼0.1
    0.4
    范围
    民
    -300
    -7
    -300
    -
    -
    50
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    40
    3.5
    最大
    -
    -
    -
    -0.5
    -0.5
    305
    -0.5
    -
    -
    V
    兆赫
    pF
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    =∞
    = - 300V ，我
    E
    =0mA
    = -5V ，我
    C
    =0mA
    = -10V ，我
    C
    =-10mA
    = -6V ，我
    E
    =10mA
    = -6V ，我
    E
    =0,f=1MHz
    CE
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    =-10mA
    V
    V
    CE
    CB
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