2SA2166_08 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA2166_08
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内容描述：	对于一般用途的高电流驱动应用PNP硅外延型 [FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
分类和应用：	驱动
文件页数/大小：	4 页 / 110 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

2SA2166

对于一般用途的高电流驱动应用

PNP硅外延型

描述

谏早2SA2166是硅PNP外延型晶体管

高集电极电流设计，低V

CE （SAT）。

外形绘图

2.5

0.5

1.5

0.5

单位：mm

①

2.90

1.90

特征

•高集电极电流

C（最大值）

=-500mA

●低集电极到发射极饱和电压

CE （ SAT ）

<-0.4V

最大

(IC=-150mA、IB=-15mA）

0.95

③

②

0�½�0.1

1.1

应用

对于开关应用中，小型电机驱动应用。

注意：

无维

宽容代表中央

值。

端子连接器

内部BASE

EIAJ：SC-59

② ：辐射源

JEDEC：TO-236

--Collector

相似

最大额定值（Ta = 25℃）

記号

首席执行官

CBO

EBO

英镑

項

目

集电极到发射极电压

集电极 - 基极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

定格値

-60

-5

-500

200

150

-55�½�150

単 �½�

℃

记号

型号名称

0.8

一·W

电气特性（Ta = 25℃）

符号

（ BR ） CEO

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

参数

C至ê击穿电压

C到B击穿电压

E至B击穿电压

收藏家切断电流

发射器切断电流

正向直流电流增益

Ç到E饱和电压

B到E饱和电压

增益带宽积

集电极输出电容

测试条件

IC=-1mA、IB=0

IC=-10uA、IE=0

IE=-10uA、IC=0

VCB=-50V、IE=0

VEB=-3V、IC=0

IC=-150mA、VCE=-10V

IC=-150mA、IB=-15mA

IE=50mA、VCE=-20V、f=100MHz

VCB=-10V、f=1MHz

民

-60

-5

范围

典型值

最大

单位

---

兆赫

100

-100

300

-0.4

-1.3

200

谏早电子股份有限公司

0.16

0.4

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