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    2SC5383 参数 Datasheet PDF下载

    2SC5383图片预览
    型号： 2SC5383
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 184 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号2SC5383的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC5383的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC5383的Datasheet PDF文件第4页  
    \u003c小信号晶体管\u003e
    2SC5383
    低频AMPLIFY应用
    NPN硅外延型（超超级迷你型）
    描述
    2SC5383是密封的超超级迷你封装树脂
    NPN硅外延晶体管，
    它是专为低频电压的应用。
    外形绘图
    Unit：½½
    特征
    ●小集电极到发射极饱和电压。
    VCE （SAT） = 0.3V最大值（ @ IC = 100mA时IB = 10毫安）
    ●直流正向增益优秀的线性度。
    ●超超级迷你包，便于安装
    应用
    对于混合集成电路，小型机器的低频电压
    扩大应用。
    端子连接器
    内部BASE
    ② ：辐射源
    --Collector
    JEITA：SC-75A
    JEDEC ： -
    最大额定值
    （Ta=25℃）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    O
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    评级
    50
    50
    6
    200
    150
    ＋150
    -55∼＋150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    型号名称
    项目的hFE
    记号
    L ˚F
    P
    c
    T
    j
    T
    英镑
    电气特性
    （Ta=25℃）
    参数
    C至ê击穿电压
    收藏家切断电流
    发射器切断电流
    正向直流电流增益※
    正向直流电流增益
    C至ê饱和Vlotage
    增益带宽积
    集电极输出电容
    噪声系数
    ※ ），它显示的hFE分类在右表。
    符号
    V（ BR ）
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    EBO
    的hFE
    的hFE
    VCE （ SAT ）
    fT
    COB
    NF
    I
    C
    = 100μA ，R
    V
    V
    V
    V
    CB
    EB
    BE
    测试条件
    =∞
    范围
    民
    50
    -
    -
    150
    90
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    200
    2.5
    -
    最大
    -
    0.1
    0.1
    500
    -
    0.3
    -
    -
    15
    单位
    V
    μA
    μA
    = 50V ，我
    E
    =0mA
    = 6V ，我
    C
    =0mA
    = 6V ，我
    C
    =1mA
    = 6V ，我
    C
    =0.1mA
    = 6V ，我
    E
    =-10mA
    = 6V ，我
    E
    =0,f=1MHz
    CE
    CE
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =10mA
    V
    V
    V
    CE
    V
    兆赫
    pF
    dB
    CB
    CE
    = 6V ，我
    E
    =-0.1mA,f=1kHz,RG=2kΩ
    项
    项目的hFE
    E
    150∼300
    F
    250∼500
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