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2SC5397_12 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC5397_12
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内容描述: 高频放大,中频扩增NPN硅外延型微 [For High Frequency Amplify, Middle Frequency Amplify Silicon NPN Epitaxial Type Micro]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 362 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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\u003c晶体管\u003e
2SC5397
高频放大,中频扩增
硅NPN外延型微型(框架式)
描述
2SC5397是硅NPN外延型晶体管。
外形绘图
单位:mm
端子连接器
② :辐射源
EIAJ : -
--Collector
JEDEC : -
内部BASE
最大额定值(Ta = 25℃)
符号
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
C
P
C
Tj
TSTG
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
评级
30
4
25
30
450
+150
-55½+150
单位
V
V
V
mA
mW
记号
397
□□B
项目的hFE
电气特性(Ta = 25℃)
范围
参数
I
CBO
I
EBO
的hFE
fT
COB
Ccrb'b
NF
符号
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益※
增益带宽积
集电极输出电容
集电极 - 基时间常数
噪声系数
V
V
V
V
V
V
V
测试条件
= 30V ,我
E
= 0毫安
= 6V ,我
C
= 1毫安
= 6V ,我
E
= -1mA
= 6V ,我
E
= 0毫安, F = 1MHz的
= 6V , I E = -1mA , F = 31.8MHz
-
-
35
150
-
-
典型值
-
-
-
200
2.0
20
3.0
最大
1
1
300
-
2.7
60
-
单位
μA
μA
-
兆赫
pF
pS
dB
CB
EB
= 4V ,我
C
= 0毫安
CE
CE
CB
CB
CE
= 6V ,我
E
= -0.1mA中,f = 1kHz时,R
G
=2kΩ
※ :这
显示的hFE分类在右表。
的hFE
B
35½70
C
55½110
D
90½180
E
150½300
谏早电子股份有限公司