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    2SC5619_13 参数 Datasheet PDF下载

    2SC5619_13图片预览
    型号： 2SC5619_13
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 157 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号2SC5619_13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC5619_13的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC5619_13的Datasheet PDF文件第4页  
    2SC5619
    高频AMPLIFY应用
    硅NPN外延型
    描述
    2SC5619是密封的硅NPN超小型封装树脂
    外延晶体管。
    它是专为高频电压的应用。
    0.95
    0.4
    0.65
    外形绘图
    2.8
    1.5
    0.65
    Unit：½½
    ①
    ②
    ③
    2.8
    1.90
    1.1
    特征
    ·高增益带宽积。 ˚F
    T=
    4.5GHz
    ·高增益，低噪声。
    ·可以在低电压下工作。
    ·超小型封装，便于安装。
    0.95
    对于电视调谐器，高频电压放大器，
    蜂窝电话系统
    端子连接器
    内部BASE
    ② ：辐射源
    --Collector
    JEITA：SC-59
    JEDEC ：类似TO- 236
    最大额定值（Ta = 25℃）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    Tj
    TSTG
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    评级
    20
    12
    3
    50
    150
    ＋150
    -55½＋150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    型号名称
    h
    FE
    项
    0½0.1
    应用
    0.8
    记号
    电气特性（Ta = 25℃）
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    f
    T
    COB
    |S
    21
    |
    2
    NF
    参数
    收藏家切断电流
    发射器切断电流
    正向直流电流增益
    增益带宽积
    集电极输出电容
    插入功率增益
    噪声系数
    测试条件
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    =0mA
    V
    EB
    = 1V ，我
    C
    =0mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =20mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    E
    =20mA
    V
    CB
    = 5V ，我
    E
    = 0毫安， F = 1MHz的
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 20mA时， F = 1GHz的
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 5毫安中，f = 1GHz的
    范围
    民
    -
    -
    50
    -
    -
    7.5
    -
    典型值
    -
    -
    -
    4.5
    1.0
    9.0
    1.5
    最大
    0.5
    1.0
    250
    -
    -
    -
    -
    单位
    μA
    μA
    -
    GHz的
    pF
    dB
    dB
    谏早电子股份有限公司
    0.13
    G W

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