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    2SC5633_09 参数 Datasheet PDF下载

    2SC5633_09图片预览
    型号： 2SC5633_09
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 133 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号2SC5633_09的Datasheet PDF文件第2页  
    \u003c小信号晶体管\u003e
    2SC5633
    高频AMPLIFY应用
    硅NPN外延型
    描述
    2SC5633是密封的超小型封装树脂
    NPN硅外延晶体管，
    它被设计用于高电压应用。
    外形绘图
    4.6最大
    1.6
    1.5
    Unit：½½
    E
    C
    0.53
    最大
    B
    特征
    ·低集电极到发射极饱和电压。
    VCE （SAT） = 0.5V最大
    0.8分钟
    4.2最大
    2.5
    0.4
    0.48最大
    1.5
    3.0
    记号
    ●超小型封装，易于安装
    端子连接器
    应用
    混合IC ， DC-DC变换器
    E：发射器
    C：收藏家
    B：基本
    EIAJ ：SC- 62
    JEDEC ：
    注）
    无公差的尺寸表示中心值。
    最大额定值
    （Ta=25℃）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    O
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    评级
    300
    300
    7
    100
    500
    ＋150
    -55½＋150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    记号
    型号名称
    Ａ Ｊ
    Ｑ
    LOT号
    ½
    ＦＥ
    项
    测试条件
    范围
    民
    300
    7
    300
    -
    -
    60
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    40
    3.0
    最大
    -
    -
    -
    0.5
    0.5
    305
    0.5
    -
    -
    V
    兆赫
    pF
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    P
    c
    T
    j
    T
    英镑
    电气特性
    （Ta=25℃）
    参数
    C到B击穿电压
    E至B击穿电压
    C至ê击穿电压
    收藏家切断电流
    发射器切断电流
    正向直流电流增益
    C至ê饱和Vlotage
    增益带宽积
    集电极输出电容
    符号
    V（ BR ）
    CBO
    V（ BR ）
    EBO
    V（ BR ）
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    EBO
    的hFE
    VCE （ SAT ）
    fT
    COB
    I
    C
    = 50μA ，我
    E
    =0
    I
    E
    = 50μA ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 1毫安，R
    V
    V
    V
    CB
    EB
    BE
    =∞
    = 300V ，我
    E
    =0mA
    = 5V ，我
    C
    =0mA
    = 10V ，我
    C
    =10mA
    = 6V ，我
    E
    =-10mA
    = 6V ，我
    E
    =0,f=1MHz
    CE
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =10mA
    V
    V
    CE
    CB
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