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型号: 2SC5635
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内容描述: 高频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 96 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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\u003c小信号晶体管\u003e
2SC5635
高频AMPLIFY应用
硅NPN外延型
描述
三菱2SC5635是密封的超小型封装树脂
NPN硅外延transistor.It是专为高
频率应用。
外形绘图
单位:mm
2.1
0.425
1.25
0.425
特征
·高增益带宽积。
fT=8.0GHz
·高增益,低噪声。
·可以在低电压下工作。
·超小型封装,便于安装。
1
2
3
应用
对于电视调谐器,高频放大器,元胞电话
系统。
端子连接器
:基本
:发射器
JEITA : SC- 70
:收藏家
1
2
3
最大额定值(Ta = 25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度图
评级
15
6
1.5
50
125
+125
-55~+125
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性(Ta = 25℃)
符号
I
I
CBO
EBO
参数
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
增益带宽积
集电极输出电容
插入功率增益
噪声系数
测试条件
范围
典型值
最大
单位
1.0
1.0
μA
μA
GHz的
pF
dB
dB
V
CB
= 10V ,我
E
=0mA
V
EB
= 1V ,我
C
=0mA
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CE
= 5V ,我
E
=10mA
V
CB
= 5V ,我
E
= 0毫安, F = 1MHz的
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安中,f = 1GHz的
V
CE
= 5V ,我
C
= 5毫安中,f = 1GHz的
50
5.0
9.0
8.0
1.0
12.0
1.4
h
FE
f
T
C
ob
�½�S
21
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2
NF
250