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    2SC5726 参数 Datasheet PDF下载

    2SC5726图片预览
    型号： 2SC5726
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 48 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号2SC5726的Datasheet PDF文件第2页  
    〈
    小信号晶体管
    〉
    初步
    Notics ：这不是一个最终规格。
    有些参数的限制有可能发生变化。
    描述
    2SC5726是密封的微型封装树脂
    NPN硅外延晶体管，
    它是专为高频应用。
     .
    0.5
    2.5
    1.5
    0.5
    2SC5726
    高频AMPLIFY应用
    硅NPN外延型
    外形绘图
    单位
    ：�½��½�
    2.9
    1.90
    0.95 0.95
    ①
    ②
    ③
    特征
    ●高增益带宽积。
    fT=10.0GHz
    ·高增益，低噪声。
    ·可以在低电压下工作。
    0.8
    ●超小型封装，易于安装
    1.1
    应用
    对于电视调谐器，高频放大器，元胞电话系统。
    JEITA
    ：SC-59
    端子连接器
    ①
    ： BASE
    评级
    15
    6
    1.5
    50
    150
    ＋125
    -55∼＋125
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    最大额定值
    （Ta=25℃）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    O
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    ②
    ：辐射源
    ③
    -collector
    P
    c
    T
    j
    T
    英镑
    电气特性
    （Ta=25℃
    ）
    参数
    收藏家切断电流
    发射器切断电流
    正向直流电流增益
    增益带宽积
    集电极输出电容
    插入功率增益
    噪声系数
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    的hFE
    fT
    COB
    |S
    21
    |
    2
    NF
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    CB
    EB
    0∼0.1
    测试条件
    = 10V ，我
    E
    =0mA
    0.4
    范围
    民
    -
    -
     30
    -
    -
    10.0
    -
    典型值
    -
    -
    -
    10.0
    0.7
    13.0
    1.4
    最大
    1.0
    1.0
    250
    -
    -
    -
    -
    GHz的
    pF
    dB
    dB
    单位
    μA
    μA
    = 1V ，我
    C
    =0mA
    = 3V ，我
    C
    =10mA
    = 3V ，我
    E
    =10mA
    = 3V ，我
    E
    =0mA,f=1MHz
    CE
    CE
    CB
    CE
    = 3V ，我
    C
    =10mA,f=1GHz
    = 3V ，我
    C
    =5mA,f=1GHz
    CE
    谏早
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