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2SC5789 参数 Datasheet PDF下载

2SC5789图片预览
型号: 2SC5789
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内容描述: 小信号晶体管高频AMPLIFY应用 [SMALL-SIGNAL TRANSISTOR FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 47 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
 浏览型号2SC5789的Datasheet PDF文件第2页  
小信号晶体管
初步
Notics :这不是一个最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化。
描述
2SC5789是密封的超超级迷你封装树脂
NPN硅外延晶体管,
它是专为高频应用。
既然是超薄扁平引线式封装,高密度
安装是可能的。
0.4
0.2
0.8
0.2
2SC5789
高频AMPLIFY应用
硅NPN外延型
外形绘图
单位
:�½��½�
●超薄扁平引线型封装。
t=0.45mm
●高增益带宽积。
0.45
fT=12.0GHz
·高增益,低噪声。
·可以在低电压下工作。
应用
对于电视调谐器,高频放大器,元胞电话系统。
0.4
特征
1.2
0.8
JEITA
端子连接器
: BASE
最大额定值
(Ta=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
评级
15
6
1.5
50
单位
V
V
V
mA
mW
:辐射源
-collector
P
c
T
j
T
英镑
+125
-55∼+125
电气特性
(Ta=25℃
参数
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
增益带宽积
集电极输出电容
插入功率增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
的hFE
fT
COB
|S
21
|
2
NF
V
V
V
V
V
V
V
CB
EB
测试条件
= 10V ,我
E
=0mA
0.25
范围
-
-
 30
-
-
10.0
-
典型值
-
-
-
12.0
0.7
13.0
1.2
最大
1.0
1.0
250
-
-
-
-
GHz的
pF
dB
dB
单位
μA
μA
= 1V ,我
C
=0mA
= 5V ,我
C
=10mA
= 5V ,我
E
=10mA
= 5V ,我
E
=0mA,f=1MHz
CE
CE
CB
CE
= 5V ,我
C
=10mA,f=1GHz
= 5V ,我
C
=5mA,f=1GHz
CE
谏早
电子股份有限公司