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2SC5814_10 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC5814_10
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内容描述: 低频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 157 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
 浏览型号2SC5814_10的Datasheet PDF文件第2页  
\u003c小信号晶体管\u003e
2SC5814
低频AMPLIFY应用
硅NPN外延型
描述
2SC5814是一个超级迷你封装的NPN硅外延
型晶体管。
它是专为低频电压的应用。
外形绘图
Unit:½½
特征
·低集电极到发射极饱和电压。
VCE (SAT) = 0.3V最大值( @I
C
= 30mA时我
B
=1.5mA)
●便于小型化和高密度mouting 。
●优良的直流线性度正向电流增益。
应用
对于混合集成电路,小型机器的低频电压
扩大应用。
JEITA:SC-59
JEDEC :类似TO- 236
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
最大额定值
(Ta=25℃)
符号
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
O
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
评级
60
6
60
125
150
+125
-55½+125
单位
V
V
V
mA
mW
型号名称
½
FE
记号
P
c
T
j
T
英镑
E R
电气特性
(Ta=25℃)
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
正向直流电流增益
C至ê饱和Vlotage
增益带宽积
集电极输出电容
※这表明与frac12 ;
FE
分类于下表。
½
FE
记号
Q
120½270
EQ
R
180½390
ER
S
180½390
ES
½
FE
记号
E
150½300
EE
F
250½500
EF
符号
V( BR )
首席执行官
I
CBO
I
EBO
的hFE
的hFE
VCE ( SAT )
fT
COB
I
C
= 1uA的,R
V
V
V
V
CB
EB
BE
测试条件
=∞
范围
60
-
-
120
70
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
200
1.5
最大
-
0.5
0.5
560
-
0.3
-
-
单位
V
μA
μA
-
-
V
兆赫
pF
= 60V ,我
E
=0mA
= 4V ,我
C
=0mA
= 6V ,我
C
=1mA
= 6V ,我
C
=0.1mA
= 6V ,我
E
=-10mA
= 6V ,我
E
=0mA,f=1MHz
CE
CE
I
C
= 30mA时我
B
=1.5mA
V
V
CE
CB
谏早电子股份有限公司