INA5002AP1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	INA5002AP1
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内容描述：	对于低频功率放大PNP硅外延 [For low frequency power amplify Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 136 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

INA5002AP1

对于低频功率扩增

PNP硅外延

TYPICIAL特性

集电极耗散

- 环境温度

600

集电极耗散PC（毫瓦）

500

400

300

200

100

150

200

环境温度Ta（ ℃ ）

1000

正向直流电流增益hFE

正向直流电流增益

与集电极电流

VCE=-2V

Ta=150℃

100

Ta=25℃

Ta=-50℃

-0.001

-0.01

-0.1

-1

-10

集电极电流Ic （ A）

共发射极转移

-1

VCE=-2V

集电极电流IC （MA ）

集电极电流Ic （ A）

-0.8

Ta=150℃

-0.6

Ta=25℃

Ta=-50℃

-0.4

-0.2

-0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

-1.2

基地发射极电压VBE （ V）

-500

-600

共发射极输出

Pcmax=500mW

IB=-3.0mA

IB=-2.5mA

Ta=25℃

-400

-300

-200

-100

IB=-2.0mA

IB=-1.5mA

IB=-1.0mA

IB=-0.5mA

IB=0mA

-0

-1

-2

-3

-4

-5

集电极到发射极电压VCE （ V）

集电极到发射极饱和

电压VCE （SAT）（MV ）

基地发射极饱和

电压VBE （SAT ）（V ）

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流

-1000

IC/IB=10

基地发射极饱和电压

与集电极电流

-1.5

IC/IB=10

-1.2

Ta=25℃

-0.9

-0.6

-0.3

-0

-0.001

Ta=150℃

Ta=-50℃

Ta=150℃

-100

Ta=25℃

Ta=-50℃

-10

-0.001

-0.01

-0.1

-1

-10

集电极电流Ic （ A）

-0.01

-0.1

-1

-10

集电极电流Ic （ A）

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