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INA5001AC1 参数 Datasheet PDF下载

INA5001AC1图片预览
型号: INA5001AC1
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内容描述: 低频AMPLIFY应用型硅NPN外延型(迷你型) [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (mini type)]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 152 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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暂定
这不是最终规格。
一些参数可能发生变化。
\u003c小信号晶体管\u003e
INA5001AC1
低频AMPLIFY应用
NPN硅外延型(迷你型)
外形绘图
2.5
0.5
1.5
0.5
描述
INA5001AC1是密封的超小型封装树脂
PNP硅外延晶体管,
它是专为继电器draive或电源中的应用。
.
Unit:�½��½�
0.95
2.9
1.90
特征
●超小型封装,易于安装
●低VCE ( sat)的V
CE ( SAT )
= -0.5 V MAX( @I
C
=-500mA/I
B
=-50mA)
•高集电极电流
•高电压
I
C
=-1A
V
首席执行官
=-50V
1.1
0.16
应用
继电器驱动器,电源供应音响设备,录像机等
0.8
0.95
最大额定值
(Ta=25℃)
符号
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
评级
-50
-5
-50
-1
-2
200
+150
-55�½�+150
单位
V
V
V
A
A
mW
JEITA:SC-59
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
电气特性
(Ta=25℃)
参数
C到B击穿电压
E至B击穿电压
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
EBO
V( BR )
首席执行官
I
CBO
I
EBO
的hFE
V
CE ( SAT )
fT
COB
测试条件
I
C
= -10μA ,我
E
=0
I
E
= -10μA ,我
C
=0
I
C
= -1mA ,R
V
V
V
CB
EB
BE
0�½�0.1
0.4
范围
-50
-5
-50
-
-
160
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
120
12
最大
-
-
-
-0.1
-0.1
380
-0.5
-
-
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
uA
uA
=∞
= -50V ,我
E
=0mA
= -5V ,我
C
=0mA
= -4V ,我
C
=-0.1A
= -2V ,我
E
=500mA
= -10V ,我
E
=0mA,f=1MHz
CE
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
V
V
CE
CB
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