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    INA5001AP1 参数 Datasheet PDF下载

    INA5001AP1图片预览
    型号： INA5001AP1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低频AMPLIFY申请PNP硅外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 153 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号INA5001AP1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号INA5001AP1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号INA5001AP1的Datasheet PDF文件第4页  
    \u003c小信号晶体管\u003e
    INA5001AP1
    低频AMPLIFY应用
    PNP硅外延型
    描述
    INA5001AP1是密封的超小型封装树脂
    PNP硅外延晶体管，
    它是专为继电器draive或电源中的应用。
    .
    外形绘图
    4.6最大
    1.6
    1.5
    Unit：�½��½�
    ●超小型封装，易于安装
    •高集电极电流
    •高电压
    I
    C
    =-1A
    0.8分钟
    ●低VCE （ sat）的V
    CE （ SAT ）
    = -0.5 V MAX（ @I
    C
    =-500mA/I
    B
    =-50mA)
    E
    C
    0.53
    最大
    B
    4.2最大
    特征
    2.5
    0.4
    0.48最大
    V
    首席执行官
    =-50V
    1.5
    3.0
    マーキング
    记号
    应用
    继电器驱动器，电源供应音响设备，录像机等
    端子连接器
    最大额定值
    （Ta=25℃）
    符号
    V
    CBO
    V
    EBO
    V
    首席执行官
    I
    C
    I
    CM
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    发射器基极电压
    集电极到发射极电压
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    评级
    -50
    -5
    -50
    -1
    -2
    500
    ＋150
    -55�½�＋150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mW
    ℃
    ℃
    内部BASE
    電極接続
    Ｃ: コレクタ
    Ｅ:
    ② ：辐射源
    エミッタ
    --Collector
    Ｂ: ベース
    JEITA ： SC- 62
    JEDEC ： SOT- 89
    EIAJ ：SC- 62
    JEDEC ：
    记号
    型号名称
    为Z
    W
    LOT №
    的hFE
    范围
    民
    -50
    -5
    -50
    -0.1
    -0.1
    160
    380
    -0.5
    120
    12
    典型值
    最大
    电气特性
    （Ta=25℃）
    参数
    C到B击穿电压
    E至B击穿电压
    C至ê击穿电压
    收藏家切断电流
    发射器切断电流
    正向直流电流增益
    Ç到E饱和电压
    增益带宽积
    集电极输出电容
    符号
    V（ BR ）
    CBO
    V（ BR ）
    EBO
    V（ BR ）
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    EBO
    的hFE
    V
    CE （ SAT ）
    fT
    COB
    测试条件
    I
    C
    =-10μA，I
    E
    =0mA
    I
    E
    =-10μA，I
    C
    =0mA
    I
    C
    =-1mA，R
    BE
    =∞
    V
    CB
    =-50V，I
    E
    =0mA
    V
    EB
    =-5V，I
    C
    =0mA
    V
    CE
    =-4V，I
    C
    =-0.1A
    I
    C
    =-500mA，I
    B
    =-50mA
    V
    CE
    =-2V，I
    E
    =500mA
    V
    CB
    =-10V，I
    E
    =0mA，f=1MHz
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    -
    V
    兆赫
    pF
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