欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

INA6005AP1 参数 Datasheet PDF下载

INA6005AP1图片预览
型号: INA6005AP1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 低频AMPLIFY申请PNP硅外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 118 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
 浏览型号INA6005AP1的Datasheet PDF文件第2页  
<SMALL -SIGNAL TRANSISTOR>
INA6005AP1
低频AMPLIFY应用
PNP硅外延型
描述
INA6005AP1是硅PNP晶体管。
它被设计成高电压。
外形绘图
4.6最大
1.6
UNIT:½½
1.5
特征
·小包装,便于安装。
0.8分钟
●高电压V
首席执行官
= -400V
E
C
0.53
最大
B
4.2最大
2.5
0.4
0.48最大
1.5
应用
的DC-DC转换器,高电压开关。
3.0
マーキング
记号
端子连接器
電極接続
E:发射器
E: エミッタ
C: コレクタ
C:收藏家
B: ベース
B:基本
JEDEC : -
JEITA : SC- 62
EIAJ :SC- 62
JEDEC : SOT- 89
JEDEC :
最大额定值
(Ta=25℃)
符号
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
C
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
结温
储存温度
等级
-400
-7
-400
-100
500
+150
-55½+150
单位
V
V
V
mA
mW
记号
型号名称
B C
W
LOT №
h
FE
范围
-400
-7
-400
-
-
82
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
65
5.5
最大
-
-
-
-1
-1
280
-0.6
-
-
P
C
T
j
T
英镑
电气特性
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CEO
I
CBO
I
EBO
½
FE
V
CE ( SAT )
fT
COB
参数
C到B击穿电压
E至B击穿电压
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
(Ta=25℃)
测试条件
I
C
=-50μA,I
E
=0mA
I
E
=-50μA,I
C
=0mA
I
C
=-1mA,R
BE
=∞
V
CB
=-400V,I
E
=0mA
V
EB
=-6V,I
C
=0mA
V
CE
=-10V,I
C
=-10mA
I
C
=-20mA,I
B
=-2mA
V
CE
=-20V,I
E
=10mA
V
CB
=-10V,I
E
=0mA,f=1MHz
单位
V
V
V
μA
μA
-
V
兆赫
pF
谏早电子股份有限公司