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INC1001AC1 参数 Datasheet PDF下载

INC1001AC1图片预览
型号: INC1001AC1
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内容描述: 对于一般用途的高电流驱动应用硅NPN外延型 [FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用: 驱动
文件页数/大小: 2 页 / 115 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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初步
请注意:这不是最终规范
有些参数如有更改。
INC1001AC1
对于一般用途的高电流驱动应用
硅NPN外延型
外形绘图
0.65
描述
INC1001AC1是硅NPN外延型晶体管。
它被设计成高集电极电流和小V
CE ( SAT )
.
2.8
1.5
0.65
单位:mm
0.95
0.95
·高集电极电流(I
C
=500mA)
·低集电极饱和电压
(V
CE ( SAT )
<0.25V
最大
;IC=100mA、IB=10mA)
2.8
1.90
●超小型封装,易于安装
1.1
对于开关,小型电机驱动器
0½0.1
0.8
应用
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
JEITA : SC- 59
JEDEC :类似TO- 236
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
参数
集电极到发射极电压
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
结温
储存温度
等级
80
80
7
0.5
200
500(*)
+150
-55½+150
单位
V
V
V
A
mW
记号
型号名称
P
C
T
j
T
英镑
*安装在玻璃环氧树脂板( 46毫米× 19毫米×仅1mm)
电气特性(Ta = 25℃)
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
½FE1
½FE2
VCE ( SAT )
fT
参数
C至ê击穿电压
C到B击穿电压
E至B击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
直流正向电流GAIN1
直流正向电流GAIN2
Ç到E饱和电压
增益带宽积
测试条件
I
C
=1mA,I
B
=0mA
I
C
=100μA,I
E
=0mA
I
E
=100μA,I
C
=0mA
V
CB
=80V,I
E
=0mA
V
EB
=7V,I
C
=0mA
VCE=1V,I
C
=10mA
VCE=1V,I
C
=100mA
I
C
=100mA,I
B
=10mA
VCE=2V,I
E
=-10mA,f=100MHz
80
80
7
-
-
105
95
-
100
范围
典型值
最大
-
-
-
-
-
-
-
0.15
-
0.15
-
-
-
-
-
0.3
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
-
-
V
兆赫
谏早电子股份有限公司
0.13
CFD
0.4
特征