INC5001AP1
对于低频功率扩增
NPN硅外延
描述
INC5001AP1是专为继电器硅NPN晶体管外延
驱动器或电源中的应用。
外形绘图
4.6最大
1.6
UNIT：�½��½�
1.5
特征
·小包装，便于安装。
●高电压V
首席执行官
=60V
●低VCE （ sat）的VCE （SAT） = 0.25V最大（ @I
C
= 500毫安/ I
B
=50mA）
●高集电极耗散P
C
=500mW
0.8分钟
●高集电极电流I
C
=1A
E
C
0.53
最大
B
4.2最大
2.5
0.4
0.48最大
1.5
应用
继电器驱动器，音频设备，录像机等的电源
3.0
マーキング
记号
端子连接器
電極接続
Ｅ:
E：发射器
エミッタ
Ｃ:
C：收藏家
コレクタ
Ｂ: ベース
B：基本
EIAJ ：SC- 62
JEDEC ：
JEDEC ： -
最大额定值
（Ta=25℃）
符号
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
I
C
CM
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
结温
储存温度
（Ta=25℃）
等级
80
5
60
1
2
500
＋150
-55�½�＋150
单位
V
V
V
A
mW
℃
℃
记号
型号名称
A Y
W
LOT №
h
FE
项
范围
民
80
5
60
0.1
0.1
130
320
0.25
150
10
典型值
最大
P
C
T
j
T
英镑
电气特性
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
�½�
ＦＥ
V
CE （ SAT ）
f
T
COB
参数
C到B击穿电压
E至B击穿电压
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
测试条件
I
C
=10μA，I
E
=0mA
I
E
=10μA，I
C
=0mA
I
C
=1mA，R
BE
=∞
V
CB
=80V，I
E
=0mA
V
EB
=5V，I
C
=0mA
V
CE
=4V，I
C
=0.1A
I
C
=500mA，I
B
=50mA
V
CE
=10V，I
E
=-50mA
V
CB
=10V，I
E
=0mA，f=1MHz
单位
V
V
V
μA
μA
-
V
兆赫
pF
谏早电子股份有限公司
ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
