<SMALL -SIGNAL TRANSISTOR>
初步
请注意：这不是最终规范
有些参数如有更改。
INC6006AS1
低频AMPLIFY应用
硅NPN外延型
描述
INC6006AS1是硅NPN晶体管。
它被设计成高电压。
外形绘图
4.0
7.5MAX
1.0
1.0
0.1
0.45
2.5
2.5
0.4
①
②
③
UNIT：½½
特征
·小包装，便于安装。
●高电压V
首席执行官
= 160V
·低电压V
CE （ SAT ）
= 0.2V （MAX）
·补充： INA6006AS1
14.0
应用
高电压开关。
2.5
端子连接器
② ：辐射源
--Collector
内部BASE
JEITA ： -
JEDEC ： -
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
I
CM
C
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
结温
储存温度
等级
180
6
160
200
100
600
＋150
-55½＋150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
13.0MIN
3.0
记号
型号名称
C06
□□
W
批号
h
FE
项
P
C
T
j
T
英镑
电气特性（Ta = 25℃）
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
f
T
COB
兴业银行
参数
C到B击穿电压
E至B击穿电压
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
直流正向电流GAIN1
直流正向电流GAIN2
直流正向电流gain3
Ç到E饱和电压1
Ç到E饱和电压2
B到E饱和电压1
B到E饱和电压2
增益带宽积
集电极输出电容
集电极输入电容
测试条件
I
C
=100μA，I
E
=0A
I
E
=10μA，I
C
=0A
I
C
=1mA，R
BE
=∞
V
CB
=120V，I
E
=0A
V
EB
=4V，I
C
=0A
V
CE
=5V，I
C
=1mA
V
CE
=5V，I
C
=10mA
V
CE
=5V，I
C
=50mA
I
C
=10mA，I
B
=1mA
I
C
=50mA，I
B
=5mA
I
C
=10mA，I
B
=1mA
I
C
=50mA，I
B
=5mA
V
CE
=10V，I
E
=-10mA
V
CB
=10V，I
E
=0A，f=1MHz
V
EB
= 0.5V ， I C = 0A ， F = 1MHz的
民
180
6
160
-
-
72
72
27
-
-
-
-
100
-
-
范围
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.7
-
最大
-
-
-
100
100
-
330
-
0.15
0.2
1.0
1.0
300
6
20
单位
V
V
V
nA
nA
-
-
-
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
谏早电子股份有限公司
ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
