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INC6008AP1 参数 Datasheet PDF下载

INC6008AP1图片预览
型号: INC6008AP1
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内容描述: 低频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 142 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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<SMALL -SIGNAL TRANSISTOR>
初步
请注意:这不是最终规范
有些参数如有更改。
INC6008AP1
低频AMPLIFY应用
硅NPN外延型
描述
INC6008AP1是硅NPN晶体管。
它被设计成高电压。
外形绘图
4.6最大
1.6
UNIT:½½
1.5
·小包装,便于安装。
•高集电极电流
Ic=1A
0.8分钟
●高电压V
首席执行官
= 140V
·低电压VCE (SAT) = 0.7V ( MAX )
E
C
0.53
最大
B
4.2最大
特征
2.5
0.4
0.48最大
1.5
应用
继电器驱动器,电源
3.0
マーキング
记号
端子连接器
電極接続
E:发射器
E: エミッタ
C: コレクタ
C:收藏家
B:基本
B: ベース
JEDEC : -
JEITA : SC- 62
EIAJ :SC- 62
JEDEC : SOT- 89
JEDEC :
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
C
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
结温
储存温度
等级
160
5
140
1
500
+150
-55½+150
单位
V
V
V
A
mW
记号
型号名称
B H
W
LOT №
h
FE
范围
典型值
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
-
-
V
V
兆赫
pF
P
C
T
j
T
英镑
电气特性(Ta = 25℃)
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CEO
I
CBO
I
EBO
½FE1
½FE2
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
fT
COB
参数
C到B击穿电压
E至B击穿电压
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
直流正向电流GAIN1
直流正向电流GAIN2
Ç到E饱和电压
B到E饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
测试条件
I
C
=100μA,I
E
=0mA
I
E
=100μA,I
C
=0mA
I
C
=10mA,R
BE
=∞
V
CB
=140V,I
E
=0mA
V
EB
=4V,I
C
=0mA
V
CE
=10V,I
C
=150mA
V
CE
=10V,I
C
=1A
I
C
=150mA,I
B
=15mA
I
C
=150mA,I
B
=15mA
V
CE
=10V,I
E
=-50mA
V
CB
=10V,I
E
=0mA,f=1MHz
160
5
140
-
-
100
-
-
-
100
-
最大
-
-
-
100
100
300
-
0.7
1.1
-
15
谏早电子股份有限公司