INJ0002AX系列
高速开关
硅P沟道MOSFET
MAXIMUM RATING（Ｔ�½�＝２５℃）
符号
Ｖ
DSS
Ｖ
GSS
Ｉ
D
Ｐ
Ｃ
总胆固醇
Ｔ�½��½��½�
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
总
动力
耗散
（Ta=25℃）
通道温度
储存温度范围
INJ0002AT2
等级
INJ0002AU1
INJ0002AM1
-30
±8
-200
150
+150
-55�½�+150
200
INJ0002AC1
单位
V
V
mA
mW
℃
℃
125（※）
+125
-55�½�+125
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ｔ�½�＝２５℃）
符号
参数
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
开关时间
※包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
测试条件
I
D
= -100μA ，V
GS
=0V
V
V
V
GS
DS
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
th
|
Y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
t
ON
t
关闭
民
-30
-
-
-0.6
-
-
-
-
-
-
极限
典型值
-
-
-
-
220
3
35
7.3
14
100
最大
-
±0.5
-1.0
-1.2
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
μA
V
mS
Ω
pF
pF
ns
=±5V, V
DS
=0V
=V
=-30V ,V
GS
=0V
DS
GS
I
D
= -250μA ，V
DS
= -10V ，我
D
=-0.1A
GS
I
D
= -100mA ，V
V
V
V
V
DS
DS
=-4.0V
=-10V, V
=-10V, V
GS
GS
=0V,f=1MHz
=0V,f=1MHz
= -5V ，我
D
=-10mA
GS
=0�½�-5V
DD
开关时间测试条件
测试电路
0
IN
OUT
0V
R
L
-5V
10μs
V
DD
=-5V
D.U.≦1%
常见的来源
Ta=25℃
50Ω
V
DD
输入
波形
-5V
V
DS （ ON）
10%
90%
产量
波形
V
DD
吨
90%
10%
tr
花花公子
tf
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