INJ0011AT2 参数 Datasheet PDF下载

型号：	INJ0011AT2
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内容描述：	高速开关硅P沟道MOSFET [High speed switching Silicon P-channel MOSFET]
分类和应用：	开关
文件页数/大小：	4 页 / 135 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

典型特征

Ta=25℃

-100

-3.0V

-2.9V

ID -VDS

-1

-2.7V

Ta=25℃

-2.8V

-1.7V

IID -VDS （低压区）

-1.65V

-80

漏极电流ID （MA ）

-2.6V

-2.5V

-0.8

漏极电流ID （MA ）

-1.6V

-60

-2.4V

-2.3V

VGS=-2.2V

-2.1V

-0.6

-40

-0.4

-1.55V

-20

-2.0V

-1.9V

-1.7V

-0.2

VGS=-1.5V

-1.45V

-0

-5

漏源电压VDS （ V）

-0

-10

-0

-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

漏源电压VDS （ V）

-1.4V

-0.5

IDR -VDS

-100

反向漏电流IDR （毫安）

Ta=25℃

VGS=0V

漏极电流ID （MA ）

-1000

Ta=25℃

VDS=-10V

-100

ID -VGS

-10

-1

0.5

1.5

漏源电压VDS （ V）

-1

-0

-1

-2

-3

-4

-5

栅极 - 源极电压VGS （V）的

| YFS | - ID

1000

漏源导通电阻

RDS（ON）（ Ω ）

Ta=25℃

VDS=-10V

正向转移导纳

| YFS | （MS ）

Ta=25℃

-1

-10

-100

-1000

漏极电流ID （MA ）

-0

-50

RDS （ ON） - ID

VGS=-4V

100

-10V

-100

漏极电流ID （MA ）

-150

-200

吨 - ID

10000

Ta=25℃

花花公子

Ç - VDS

100

开关时间t（ NS ）

1000

西塞

电容C （PF ）

科斯

100

吨

Ta=25℃

VGS=0V

-0.1

-1

-10

-100

0.1

-0.1

-1

-10

漏源电压VDS （ V）

-100

漏极电流ID （MA ）

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