INJ0001AX 参数 Datasheet PDF下载

型号：	INJ0001AX
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内容描述：	高速开关硅P沟道MOSFET [High speed switching Silicon P-channel MOSFET]
分类和应用：	开关
文件页数/大小：	4 页 / 132 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

典型特征

Ta=25℃

ID -VDS

-10

-1.6V

Ta=25℃

ID -VDS （低压区）

-100

-80

漏极电流ID （MA ）

-1.5V

-8

漏极电流ID （MA ）

-1.0V

-60

-1.4V

-6

-0.95V

-40

-1.3V

-1.2V

-4

VGS=-0.9V

-20

-1.1V

VGS=-1.0V

-2

-0.85V

-0.8V

-0

-5

漏源电压VDS （ V）

-10

-0

-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

漏源电压VDS （ V）

IDR -VDS

-100

反向漏电流IDR （毫安）

Ta=25℃

VGS=0V

漏极电流ID （MA ）

-1000

Ta=25℃

VDS=-10V

-100

ID -VGS

-10

-1

0.5

1.5

漏源电压VDS （ V）

-1

-0

-1

-2

-3

-4

栅极 - 源极电压VGS （V）的

-5

| YFS | - ID

1000

转发transfet纳| YFS | （MS ）

Ta=25℃

VDS=-10V

100

漏源电压

VDS（ON）（毫伏）

-100

-1000

Ta=25℃

VGS=-4V

VDS（ON） - 标识

-10

-1

-10

-100

漏极电流ID （MA ）

-1000

-1

-10

漏极电流ID （MA ）

-100

吨 - ID

10000

Ta=25℃

花花公子

开关时间t（ NS ）

1000

Ç - VDS

100

电容C （PF ）

西塞

100

吨

Ta=25℃

VGS=0V

科斯

-0.1

-1

-10

漏极电流ID （MA ）

-100

-0.1

-1

-10

漏源电压VDS （ V）

-100

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