ISA1235AC1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ISA1235AC1
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内容描述：	低频AMPLIFY申请PNP硅外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 197 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

\u003c小信号晶体管\u003e

ISA1235AC1 ISA1602AM1

低频AMPLIFY应用

PNP硅外延型

典型特征

集电极耗散

VS环境温度

250

共发射极输出

-50

IB=-0.2mA

IB=-0.18mA

IB=-0.16mA

IB=-0.14mA

集电极耗散PC（毫瓦）

集电极电流IC （MA ）

200

-40

IB=-0.12mA

IB=-0.10mA

150

-30

IB=-0.08mA

IB=-0.06mA

100

-20

IB=-0.04mA

-10

IB=-0.02mA

IB=0mA

100

150

环境温度Ta（ ℃ ）

-0

-1

-2

-3

-4

-5

·集电极发射极电压VCE （ V）

集电极到发射极饱和电压

VS集电极电流

基地发射极饱和电压

VS集电极电流

-10.0

基地发射极饱和电压

VBE （饱和）（V）的

集电极到发射极饱和电压

VCE （ SAT ）（MV ）

-1000

IC/IB=10

Ta=100℃

Ta=25℃

Ta=-40℃

TA = 100 ℃ TA = 25 ℃ TA = -40 ℃

-1.0

-100

-10

-0.1

-1

-10

-100

-1000

-0.1

-1

-10

-100

-1000

集电极电流IC （MA ）

共发射极转移

-1

VCE=-6V

集电极电流IC （MA ）

共发射极转移

-100

VCE=-6V

集电极电流IC （MA ）

Ta=100℃

-0.6

Ta=25℃

-0.4

Ta=-40℃

集电极电流IC （MA ）

-0.8

-80

-60

Ta=100℃

-40

Ta=25℃

Ta=-40℃

-20

-0.2

-0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

基地发射极电压VBE （ V）

-0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

基地发射极电压VBE （ V）

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