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    ISA1284AS1 参数 Datasheet PDF下载

    ISA1284AS1图片预览
    型号： ISA1284AS1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低频POWOR AMPLIFY申请PNP硅外延型 [FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 440 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号ISA1284AS1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ISA1284AS1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ISA1284AS1的Datasheet PDF文件第4页  
    \u003c小信号晶体管\u003e
    ISA1284AS1
    低频POWOR AMPLIFY应用
    PNP硅外延型
    描述
    ISA1284AS1是硅PNP外延型晶体管
    设计用于高电压应用。
    辅以ISC3244AS1 。
    3.0
    4.0
    外形绘图
    Unit：½½
    特征
    ●高电压V
    首席执行官
    =-100V
    13.0MIN
    1.0
    ●高集电极电流峰值。
    I
    CM
    =-800mA
    14.0
    1.0
    0.1
    0.45
    ●高增益带宽产品。 FT =为130MHz （典型值）
    ●高集电极耗散。 P
    C
    =600mW
    2.5
    2.5
    应用
    2.5
    为
    20½40W
    安培互补驱动器，继电器驱动器，电源
    应用程序。
    ①
    ②
    ③
    JEITA ：
    JEDEC ：
    端子连接器
    最大额定值
    （Ta=25℃）
    符号
    V
    CBO
    V
    EBO
    V
    首席执行官
    I
    C
    I
    CM
    P
    c
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    发射器基极电压
    集电极到发射极电压
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    评级
    -100
    -5
    -100
    -500
    -800
    600
    +150
    -55½+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    .
    ② ：辐射源
    --Collector
    内部BASE
    电气特性
    （Ta=25℃）
    参数
    V(
    BR
    )
    CBO
    V(
    BR
    )
    EBO
    V(
    BR
    )
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    EBO
    ※的hFE
    VCE （ SAT ）
    fT
    COB
    参数
    C到B击穿电压
    E至B击穿电压
    C至ê击穿电压
    收藏家切断电流
    发射器切断电流
    正向直流电流增益
    Ç到E饱和电压
    增益带宽积
    集电极输出电容
    测试条件
    I
    C
    = -10ìA ，我
    E
    =0mA
    I
    E
    = -10ìA ，我
    C
    =0mA
    I
    C
    = -1mA ，R
    BE
    = ∞
    V
    V
    V
    CB
    EB
    范围
    民
    -100
    -5
    -100
    -
    -
    55
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.15
    130
    11
    最大
    -
    -
    -
    -0.5
    -0.5
    300
    -0.5
    -
    -
    0.4
    7.5MAX
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    -
    V
    兆赫
    pF
    D
    90½180
    E
    150½300
    = -50V ，我
    E
    = 0毫安
    = -10V ，我
    C
    = -10mA
    = -2V ，我
    C
    = 0毫安
    CE
    I
    C
    = -150mA ，我
    B
    = -15mA
    V
    V
    CE
    = -10V ，我
    E
    = 10毫安
    = -10V ，我
    E
    = 0毫安， F = 1MHz的
    项
    项目的hFE
    C
    50½110
    CB
    ※ ），它显示在右表中的hFE分类。
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