ISA1602AM1_13 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ISA1602AM1_13
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内容描述：	低频AMPLIFY申请PNP硅外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 197 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

\u003c小信号晶体管\u003e

ISA1235AC1 ISA1602AM1

低频AMPLIFY应用

PNP硅外延型

描述

ISA1235AC1 ISA1602AM1是超迷你

封装树脂密封PNP硅外延型

晶体管。

这是专为低频电压

扩大应用。

ISA1235AC1

2.8

1.5

外形绘图

ISA1602AM1

2.1

0.425 1.25 0.425

单位：mm

0.65

0.4

2.8

1.9

0.95 0.95

2.0

1.3

0.65 0.65

特征

●优良的直流线性度正向电流增益。

·小集电极到发射极饱和电压

VCE(sat)=-0.3Vmax

①

②

③

①

②

③

0.13

应用

对于小型机器的低频电压

扩大应用。

0.8

0½0.1

JEITA：SC-59

JEDEC ： TO- 236相似

端子连接器

内部BASE

② ：辐射源

--Collector

0.7

0½0.1

JEITA：SC-70

JEDEC ： -

端子连接器

内部BASE

② ：辐射源

--Collector

最大额定值（Ta = 25℃）

符号

Ｖ

ＣＢＯ

Ｖ

ＥＢＯ

Ｖ

ＣＥＯ

Ｉ

Ｃ

Ｐ

Ｃ

Ｔ½

Ｔ½½½

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

评级

ISA1235AC1 ISA1602AM1

-60

-6

-50

-200

200

+150

-55½+150

单位

℃

记号

项目的hFE

电气特性（Ta = 25℃）

符号

Ｖ

（ＢＲ）ＣＥＯ

Ｉ

ＣＢＯ

Ｉ

EＢＯ

ＦＥ

Ｖ

ＣＥ（½½½）

Ｔ

COB

参数

集电极到发射极击穿电压

收藏家切断电流

发射器切断电流

正向直流电流增益

集电极到发射极饱和电压

增益带宽积

集电极输出电容

噪声系数

测试条件

=-100μA，R

=∞

=-60V，I

=-6V，I

=-1mA

=-6V，I

=-0.1mA

=-100mA，I

=-10mA

=-6V，I

=10mA

=-6V，I

=0,f=1MHz

=-6V，I

=0.3mA，

f=100Hz，RG=10kΩ

民

-50

－

150

－

范围

AVE

－

200

4.0

－

最大

－

-0.1

500

－

-0.3

－

单位

μA

－

兆赫

*：它显示在下面的表的hFE分类。

½FE

150½300

250½500

谏早电子股份有限公司

0.15

1.1

0.9

0.3

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